4 Ağustos 2014 Pazartesi

DERS NOTU 8 (TRANSİSTÖRLÜ BİR DEVRENİN HİBRİT PARAMETRELİ ANALİZİ 4)

     Yukarıdaki devrenin biraz daha basitleştirilmiş hali aşağıdaki gibidir.

     Transistör basitçe hibrit parametreleriyle AC olarak bu şekilde  modelleniyor. Önceki konularda yer alan rₑ parametre yöntemine şekil olarak oldukça benzemektedir.


                                               önceki sayfa     sonraki sayfa

3 Ağustos 2014 Pazar

DERS NOTU 7 (TRANSİSTÖRLÜ BİR DEVRENİN HİBRİT PARAMETRELİ ANALİZİ 3)

ORTAK BASE'Lİ KONFİGÜRASYON

     Yukarıdaki şekilde transistör yerine bir eşdeğer devre koyuyoruz.


Vᵢ = Veb                         V₀ = Vcb
Iᵢ = Ie                                I₀ = Ic

     Önceki iki hibrit denklemini ortak beyzli yapıya göre yeniden yazıyoruz.

Vebhᵢb . I + hb . Vcb..... (1)
Ic hfb . I + hbVcb.....(2)

önceki sayfa     sonraki sayfa

2 Ağustos 2014 Cumartesi

DERS NOTU 6 (TRANSİSTÖRLÜ BİR DEVRENİN HİBRİT PARAMETRELİ ANALİZİ 2)

ORTAK EMİTERLİ KONFİGÜRASYON

     Yukarıdaki şekilde transistör yerine bir eşdeğer devre koyuyoruz.



Vᵢ = Vbe                         V₀ = Vce
Iᵢ = Ib                                I= Ic

     Önceki iki hibrit denklemini ortak emiterli yapıya göre yeniden yazıyoruz.


Vbehᵢ . Ib + h . Vce..... (1)
Ic hf . Ib + hVce.....(2)


önceki sayfa     sonraki sayfa

1 Ağustos 2014 Cuma

DERS NOTU 5 (TRANSİSTÖRLÜ BİR DEVRENİN HİBRİT PARAMETRELİ ANALİZİ 1)

TRANSİSTÖRLÜ BİR DEVRENİN HİBRİT PARAMETRELİ ANALİZİ

     Hibrit parametrelerinin rₑ parametresinden farkı DC bir çözüme ihtiyaç duyulmamasıdır. transistörün konfigürasyonuna göre h'lara ikinci bir indis gelir.

                     OE          OB          OC 
hᵢ   →         hᵢ           hᵢb           hᵢc  
hᵣ   →         h            hb             hc
hf   →          hf            hfb              hfc
h₀   →         h           hb             hc

      En çok OE'li konfigürasyonlar kullanılmaktadır. Kataloglarlardaki bilgilerde OE'li ye bilgi içermektedir. Burada amacımızbir önceki sayfadaki hibrit eşdeğer devreyi transistörlü bir yapıya adapte etmektir.
     


31 Temmuz 2014 Perşembe

DERS NOTU 4 ( HİBRİT PARAMETRE ANALİZİ 2)

     Hibrit parametrelerini devrede yerine koyarak transistörün eşdeğer devre modelini elde edebiliriz.
   

Vᵢ = h . Iᵢ + h . V..... (1)
I = hf . Iᵢ + h. V.....(2)


     (1) denklemine baktığımızda; giriş voltajını göstermek için parametreler şekilde gösterildiği gibi seri bağlanır. Çünkü iki voltajın toplamı, voltajların devreye seri bağlanması ile gösterilir.

     (2) denklemine baktığımızda; çıkış akımını göstermek için parametreleri şekilde gösterildiği gibi paralel bağlanır. Çünkü iki akımın toplamı, akımların devreye paralel bağlanması ile gösterilir.



29 Temmuz 2014 Salı

DERS NOTU 3 ( HİBRİT PARAMETRE ANALİZİ 1)

HİBRİT ANALİZİ

     Hibrit parametre analizinde de transistörlü yapıları iki portlu bir yapı olarak yani 4 uçlu bir sistem olarak düşünüyoruz. Bu yapıda transistörün bir ucu referans seçilmiştir.
     Giriş-çıkış akımları ve giriş-çıkış voltajları AC birimlerdir.
Vᵢ = h . Iᵢ + h . V..... (1)
I₀ = h . Iᵢ + h . V.....(2)

     h₁ , h₂ , h₁ , h₂  Hibrit parametreleri

     Yazdığımız denklem takımları akımların ve voltajların karışımından oluşuyor. Karma denklem yapıları olduğu için hibrit diyoruz. 

     h₁ = Vᵢ       (V₀=0 alınarak) → Giriş direnci                  
                   Iᵢ                                                                
     
      h = I₀       (V₀=0 alınarak)→ İleriye doğru akım kazancı
                   Iᵢ 

    h₂ = Vᵢ       (Iᵢ=0 alınarak)  geriye doğru gerilim kazancı
                    V₀   

   h₂ = I₀        (Iᵢ=0 alınarak)  → Çıkış admintansı
                   V₀ 

     Burada her bir hibrit parametresini bulabilmek için denklemlerde birer terimi ihmal ederek diğer parametreyi bulduk. Böylece her bir parametreyi akım - voltaj cinsinden yazmış olduk.

     NOT:  Bundan sonraki gösterimlerde;

     h₁   h ( input)
     h₂   hf ( forward)
     h  hᵣ  ( reserve)
    h h (outpur)   olarak alınacak.



12 Temmuz 2014 Cumartesi

DERS NOTU 2 ( rₑ TRANSİSTÖR MODELİ )

 rₑ TRANSİSTÖR MODELİ

ORTAK TABALI ( ORTAK BASE'Lİ) YAPI

     Kollektör akımı ile emiter akımı arasında α bağlantısı vardır. Çıkış devresindeki kollektör akımı ( I₀ ( çıkış akımı) akımının tersi yönündedir.
rₑ = 26 mV
                                                      I
     
                                                 α ≈ 1


  •      rₑ içerdiği için OB (ortak base)'li yapıların çok düşük giriş empedansları vardır ( 1-10 Ω).
  •      Çıkış empedansı r₀ megaohmlar seviyesindedir.
  •      Çıkış akımı I₀ , Ic akımına ters olduğundan giriş ve çıkış arasında 180° 'lik faz farkı vardır.

ORTAK TOPLAYICI (ORTAK KOLLEKTÖRLÜ) YAPI

     OC( ortak kollektör)' li yapılar için OE (ortak emiter) yapısının modeli kullanılmaktadır.

ORTAK YAYICI ( ORTAK EMİTER) YAPISI

     Vi gerilimi Vbe gerilimine eşittir.

Zᵢ = Vᵢ= Vb= Iₑ . r = β.Ib + Ib ).r = β + 1). r
                             Ib     Ib             Ib                            Ib                                     


                                     Zᵢ = ( β + 1). rₑ




     Transistörlü devrelerin AC analizini yapmak için ;
  • rₑ = 26 mV  denklemindeki Iₑ akımı bulmak için önce devrenin DC analizi yapılır.
  •           Iₑ
  • Sonra AC analiz yapılır ve istenilen dört devre parametresi bulunur.
     A → Akım Kazancı                                           Ro → Çıkış Empedansı
     
     R → Giriş Empedansı                                        Av → Gerilim Kazancı